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国家存储器基地三维闪存取得新突破

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国家存储器基地三维闪存取得新突破

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1月2日,正在建设中的国家存储器基地雏形初现。位于武汉光谷的该基地继成功研发中国首颗32层三维闪存芯片后,另一项技术取得新突破,为三维闪存带来前所未有的I/O高性能、更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。国家存储器基地以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,全部建成后将填补我国主流存储器领域空白,为实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。

12日,正在建设中的国家存储器基地雏形初现。位于武汉光谷的该基地继成功研发中国首颗32层三维闪存芯片后,另一项技术取得新突破,为三维闪存带来前所未有的I/O高性能、更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。国家存储器基地以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,全部建成后将填补我国主流存储器领域空白,为实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。

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